ITRS (Internasional Technology Roadmap for Semiconductors) disponsori oleh lima gabungan manufaktur chip di seluruh dunia: Eropa, Jepang, Taiwan, Korea dan Amerika Serikat.
Tujuan ITRS adalah untuk menjaga kelangsungan dan kemajuan industri IC (integrated circuit, sirkuit terpadu) dan industri yang menggunakan IC secara efektif baik dari segi biaya maupun kinerjanya, sehingga industri ini dapat bertahan lama dan sukses.
Salah satu hasil dari ITRS adalah roadmap yang berisi arahan bagi industri-industri elektronika yang tergabung di dalamnya, baik manufaktur, lembaga riset, pembuat mesin, dan sebagainya. Roadmap tersebut mengidentifikasi tantangan kritis yang dihadapi, merangsang solusi inovatif dari tantangan-tantangan tersebut, serta membuka pintu partisipasi dari komunitas semikonduktor.
ITRS terakhir hingga saat ini dapat dibuka di http://www.itrs.net/Links/2006Update/2006UpdateFinal.htm
Hingga saat ini telah dirumuskan technology roadmap hingga tahun 2013, yang diperkirakan mencapai 32nm half pitch.
Pitch adalah jeda antara 2 polisilikon. Semakin dekat berarti tingkat kerapatan suatu devais akan semakin tinggi. Satu pitch terdiri dari satu line (garis) dan space (spasi). Half pitch adalah lebar line (garis) polisilikon. Lebar polisilikon menentukan kecepatan suatu devais. Semakin kecil berarti jarak tempuh elektron dari Source ke Drain pada CMOS akan semakin kecil, sehingga memungkinkan kecepatan switching transistor dari on ke off semakin tinggi.
Saat ini (2007) menurut ITRS industri telah mencapi 65nm half pitch.
Istilah node teknologi memang mirip dengan half-pitch, namun kenyataannya saat ini node teknologi tidak lagi menunjukkan half-pitch. Misalnya saat ini Intel mulai meluncurkan produk dengan teknologi 45nm, bukan berarti pitchnya 90nm. Oleh karena itu, istilah node teknologi tidak lagi digunakan dalam ITRS untuk memperjelas pitch sebenarnya.
Karena half-pitch ditentukan oleh kemampuan litografi dalam mencetak rangkaian dengan resolusi yang semakin tinggi, proses litografi merupakan juru kunci kemajuan teknologi semikonduktor. Litografi mengandalkan cahaya untuk mencetak rangkaian pada wafer. Tetapi karena salah satu sifat cahaya, yaitu difraksi, maka semakin dekat jarak dua feature, semakin besar cahaya dibelokkan dari sudut datangnya. Pada saat tertentu cahaya ini tidak dapat lagi ditangkap oleh wafer yang beraksi sebagai layar. Jarak terkecil dua feture ini disebut pitch yang menentukan resolusi teknologi litografi.
Untuk memperbaiki resolusi suati sistem litografi, ada tiga komponen yang berperan. Pertama, menggunakan cahaya dengan panjang gelombang (lambda) sekecil-kecilnya (sekarang industri sedang berusaha menggunakan cahaya dengan panjang gelombang 13.6nm, atau EUV). Kedua, dengan meningkatkan NA (numerical aperture) lensa sistem litografi, sehingga semakin banyak cahaya yang dapat ditampung pada lensa objektifnya. Ketiga, dengan menggunakan RET (resolution enhancement techniques), seperti OPC (optical proximity correction), double patterning, double exposure, dan sebagianya.
